SK hynix Announces Development of HBM3 DRAM
https://news.skhynix.com/sk-hynix-announces-development-of-hbm3-dram/SK hynixから「High Bandwidth Memory」（HBM）としては第4世代となる最新メモリ
「HBM3」がリリースされた。 高性能データセンター、気候分析、医薬品開発などを行うスーパーコンピューターや機械学習プラットフォーム向けの製品で、メモリ帯域幅は第3世代モデルの「HBM2E」より約78％高い最高819GB/secを達成。またデータビットエラーを修正するエラー訂正機能を備え、データの信頼性も向上している。 さらにシリコン貫通電極（TSV技術）を採用し、最大12枚のチップの垂直スタックが可能。これにより1枚で最大24GBの大容量メモリを実現する。
