Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2023年10月10日（現地時間）、最先端の1βプロセスノードを採用する7,200MT/s動作の16Gb DDR5メモリの提供を開始した。 今回発表されたDDR5メモリでは、最先端のHigh-k CMOS技術や4フェーズクロック機能、クロック同期機能などを備え、従来の4,800MT/sモデルに比べてパフォーマンスは最大50％、ワットパフォーマンスは33％向上。特にAIの推論処理やデータ分析、生成系AI、インメモリデータベースなどメモリパフォーマンスが要求されるアプリケーションの性能を改善できる。 なおMicronでは16Gb DDR5の他、1βプロセスノードを採用した製品として、16Gb/24Gb/32GbのDRAMダイを使用したDDR5 RDIMM/MCRDIMMや、16Gb/24Gb DRAMダイを使用したLPDDR5X、グラフィックスカード向けHBM3E/GDDR7などもラインナップしている。
Micron Delivers High-Speed 7,200MT/s DDR5 Memory Using 1β Technology
https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-delivers-high-speed-7200mts-ddr5-memory-using-1b
