Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2025年6月10日（現地時間）、最新世代の広帯域幅メモリ
「Micron HBM4」について、サンプル出荷の開始を発表した。主要顧客のAIプラットフォーム立ち上げに合わせ、2026年の生産開始が計画されている。 AI推論モデル用を想定したデータセンター向け製品で、容量は12層HBMI製品で最大級の36GB。定評のある1-beta DRAMプロセスや12-high先進パッケージング技術、メモリ内蔵セルフテスト（MBIST）機能などをベースに構成されている。 スタックあたり2TB/s以上の帯域幅を誇り、前世代のHBM3Eから60％以上のパフォーマンス向上と20％以上の電力効率を達成。AIアクセラレータのさらなる応答速度と推論効率の向上に貢献するとされる。 なお同様の12層HBM4メモリについては、先行して3月にSK hynixからサンプル出荷の開始がアナウンスされている。
Micron Ships HBM4 to Key Customers to Power Next-Gen AI Platforms
