QLC NANDフラッシュでは初の300層以上の積層化を実現
SK hynix（本社：韓国）は2025年8月25日、容量2Tbの321層3D QLC NANCフラッシュの量産開始を発表した。
QLC NANDフラッシュでは世界初の300層以上を実現した製品で、チップあたりの容量は従来の2倍になる2Tbに増加。また大容量NANDフラッシュの問題であるパフォーマンス低下に対応するため、チップ内の独立演算ユニットの数は4つから6つに拡張されている。
これにより、データ転送速度は最大2倍、書込性能は最大56％、読込性能は18％、書込時の電力効率は23％以上向上しており、低消費電力な動作が求められるAIデータセンターにおける競争力を強化する。
なお搭載製品はPC用SSDとして来年前半よりリリース予定。その後、データセンター向けエンタープライズSSDやスマートフォン向けUFSにも展開が予定されている。
