キオクシア株式会社（本社：東京都港区）は2026年1月28日、QLC技術を採用したモバイル機器向けフラッシュメモリ
「UFS4.1組み込み式フラッシュメモリ」のサンプル出荷を開始した。 第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用した製品で、従来のTLC UFSに比べて高密度化が可能。パッケージサイズも11×13mm→9×13mmに小型化され、モバイルデバイスのさらなる大容量・高密度化が可能になる。 またコントローラ技術やエラー訂正能力の改良により、前世代モデルに比べてシーケンシャル書込は約25％、ランダム読込は約90％、ランダム書込は約95％向上。さらにSSDの耐久性に影響のある書込増幅率は最大3.5倍も改善されている。 なお容量は512GBと1TBの2モデルがラインナップする。
QLC技術を採用した UFS 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷について
https://www.kioxia.com/ja-jp/business/news/2026/20260128-1.html
