SK hynix（本社：韓国）は2026年3月10日（現地時間）、第6世代10nm（1c nm）プロセス技術を採用した16Gb LPDDR6 DRAMの開発成功を発表した。2026年上半期に量産準備を終了し、下半期より製品供給が開始される予定。 1月にCES 2026で公開された第6世代10nm（1c nm）プロセスベースの16Gb LPDDR6 DRAMについて、このほど世界で初めて開発検証が完了。新しい「1c LPDDR6」は、主にオンデバイスAIを搭載したスマートフォンやタブレットなどのモバイル製品に組み込まれる。 既存のLPDDR5Xと比較して、データ処理速度と電力効率が向上。基本動作速度は10.7Gbpsとされ、帯域幅の拡大と単位時間辺のデータ転送量の増加により、処理速度は前世代比で33％向上した。また、サブチャネル構造とDVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling) technologyにより、電力効率も20％向上している。 ハイスペックゲーミングなど要求の厳しい環境では帯域幅性能を最大限に高めつつ、通常使用時にはクロックと電圧を下げて消費電力を削減。これによりさらに長いバッテリー寿命と、最適化されたマルチタスク性能の恩恵が受けられるとしている。
SK hynix Develops 1c LPDDR6, 6th-Generation 10nm-Class DRAM
