キオクシアとウエスタンデジタル、第6世代の3次元フラッシュメモリ技術を発表
https://business.kioxia.com/ja-jp/news/2021/20210219-1.html https://www.westerndigital.com/ja-jp/company/newsroom/press-releases/2021/2021-02-18-kioxia-and-western-digital-announce-6th-generation-3d-flash-memoryキオクシアおよびWestern Digitalは、162層の積層プロセスを採用した
「第6世代3次元フラッシュメモリ技術」の開発に成功したことを発表した。 112層積層プロセスを使用した第5世代に比べて、平面方向のセルアレイ密度は最大10％向上。また積層数を162層に増やしたことでダイサイズは40％も削減、ウェーハあたりの製造ビット数は70％と大幅に増加しており、コスト面でもメリットがある。 またパフォーマンス面では、Circuit Under Array CMOS配置技術と4プレーン動作により書込性能が2.4倍に向上したほか、読込レイテンシも10％短縮。さらにI/O性能は66％引き上げられ、より一層高まる転送速度の高速化ニーズにも対応できるという。
