Samsung Develops Industry’s First HKMG-Based DDR5 Memory; Ideal for Bandwidth-Intensive Advanced Computing Applications
https://news.samsung.com/global/samsung-develops-industrys-first-hkmg-based-ddr5-memory-ideal-for-bandwidth-intensive-advanced-computing-applications?utm_source=feedly&utm_medium=directSamsungは、High-Kメタルゲート技術を採用する次世代メモリDDR5 DRAMモジュールの開発に成功した。 絶縁体にHigh-Kメタルゲート技術を採用したことで、従来よりリーク電流が低下しており、消費電力は約13％低下。またシリコン貫通電極技術により16Gb DRAMチップを積層することで、最大512GBの大容量を実現している。 最大転送速度はDDR4メモリの2倍以上となる7,200Mbpsで、高速かつ大容量メモリが要求されるスーパーコンピューティング、人工知能、機械学習、データ分析アプリケーションなどの用途に最適。なおすでにSamsungではサンプル出荷を開始している。
