UFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷について
https://business.kioxia.com/ja-jp/news/2021/20210811-1.html従来製品に比べてランダム読込は約30％、ランダム書込は約40％も向上させたモバイル・アプリケーション向けUFS Ver.3.1メモリがキオクシアからリリース。本日よりサンプル出荷が開始された。 NANDフラッシュにはキオクシア第5世代の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用。またホストメモリを活用して、ランダム読込性能を高める「HPB Ver.2.0」に対応することで、転送速度を引き上げている。 容量は256GBと512GBの2モデルがラインナップ。厚さは前者が0.8mm、後者でも1mmに抑えられており、ハイエンドスマートフォンなど性能と容量が要求されるアプリケーションに最適だ。
