Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2024年9月12日、積層型NANDフラッシュの新モデル
「第9世代QLC V-NAND」の量産開始を発表した。 独自チャネルホールエッチング技術や、セル面積と周辺回路の最適化により、前世代のQLC V-NANDフラッシュに比べてビット密度は約86％向上。業界最高峰のビット密度を実現しており、大量のデータを扱うAIアプリケーションに向く。 また予測プログラム技術の改善により、データの入出力速度は約60％、書込性能は最大2倍に引き上げられている他、QLC NANDフラッシュの欠点だったデータ保持性能も約20％改善され、重要なデータを安全に保存できるようになった。
Samsung Begins Industry’s First Mass Production of QLC 9th-Gen V-NAND for AI Era
https://news.samsung.com/global/samsung-begins-industrys-first-mass-production-of-qlc-9th-gen-v-nand-for-ai-era
